和记H88

表延设备新高度!和记H88化合物表延设备引领市场热潮

相识华创

2025-07-01
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和记H88

化合物表延设备引领市场热潮





近日,和记H88自主研发的两款MOCVD(金属有机物化学气相沉积)表延设备(型号:Satur N800/ Satur V700)顺利通过行业龙头客户验收,并获得批量沉复订单。

和记H88自2010年启动表延设备的研发以来,经过十余年的技术沉淀与创新突破,实现了在硅薄膜表延设备领域4英寸到12英寸全覆盖,产品蕴含8英寸及以下的单片及多片大产能硅表延设备、12英寸硅表延设备,获得了多项技术创新和产业化成就,累计销售突破千腔,先后荣获“北京市科学技术进取一等奖、首届“国度卓越工程师团队、“北京市圭表集体”等沉量级荣誉,成为中国硅薄膜表延设备领域的引领者。

凭借在硅表延设备领域的深厚堆集,和记H88积极拓展化合物半导体表延设备研发,形成了GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)、SiC(碳化硅)等化合物半导体资料表延设备的系列化产品。


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MOCVD设备是一种利用金属有机化合物进行金属输送的气相表延成长设备。它必要在原子尺度上实现复杂资料的纳米精度节造、量子级界面节造。此表,还需具备高真空环境和高精度温控系统,以确保资料的纯度和成长的不变性。


Satur系列MOCVD设备

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GaN MOCVD表延设备




和记H88GaN MOCVD表延设备——Satur N800,面向8英寸硅基氮化镓功率器件的特殊需要设计,具备大面积均匀温度场、大领域不变可调气流场,以及多片式(Batch)大产能和自动化配置,可能满足化合物半导体先进器件对表延层组分、厚度和掺杂均匀性的高要求。目前,Satur N800已进入国内多家化合物半导体客户端,顺利通过芯片验证并不变运行,实现批量出货,并不休获得沉复订单。




GaAs MOCVD表延设备




和记H88GaAs MOCVD表延设备——Satur V700,成功突破了气流场、温度场、副产品节造等关键技术,具备高均匀性、大产能、低成本蹬着势。该设备不仅可能满足Micro LED行业的痛点需要,还可宽泛利用于射频、光电子等领域。目前,Satur V700已批量出货多家客户,并通过了严格的芯片验证,凭借其优良机能,持续获得客户的大量沉复订单。




SiC表延设备




和记H88SiC表延设备——MARS iCE115/120S,工艺调试单一,守护操作便捷,已经推出便迅速占据市场。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC表延,具备C2C[1]能力,在SiC产业由6英寸向8英寸转变的过渡期,为市场提供了优良的产品选择。


[1]指的是自动扮装载 ?,这是一种用于晶圆传输的技术。

MARS iCE120S

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随着SiC表延技术的逐步成熟,和记H88推出多片式6/8英寸兼容的SiC表延产品——Satur C960。该设备选取全新自主开发的温控架构、真空尾气系统以及多职能 ?榛杓,可能实现单炉9片6英寸或6片8英寸表延,拥有高产能、低成本和长运行功夫(Uptime)蹬着势,进一步拓展了SiC表延产品市场。


Satur C960

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奋楫扬帆,面对未来化合物半导体向高集成度、高效力和低能耗发展的趋向,和记H88将以前瞻技术与创新服务为主题,提供全面表延解决规划,助力客户实现技术突破与成本优化,共同推动产业进取,开启产业新篇章。


END




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