氧化（Oxidation）是将硅片搁置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处置，在硅片表表产生化学反映形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中利用较宽泛的基础工艺之一。氧化膜的用处宽泛，可作为离子注入的反对层及注入穿透层（危险缓冲层）、表表钝化、绝缘栅资料以及器件；げ恪⒏衾氩恪⑵骷结构的介质层等。 扩散（Diffusion）是在高温前提下，利用热扩散道理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其拥有特定的浓度散布，达到扭转资料的电学个性，形成半导体器件结构的主张。在硅集成电路工艺中，扩散工艺用于造作PN结或组成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等器件。 ??
退火（Anneal）也叫热退火，集成电路工艺中所有在氮气等不活跃气体中进行热处置的过程都可称为退火，其作用重要是解除晶格缺点和解除硅结构的晶格危险。 另表，为了使硅片表表形成优良的基础，以及不变Cu配线的结晶结构并去除杂质，从而提高配线的靠得住性，通常必要把硅片搁置在惰性气体如氩气的环境中进行低温热处置，这个过程被称为合金（Alloy）。 ??
以上工艺宽泛用于半导体集成电路、先进封装、电力电子（IGBT）、微机电（MEMS）、光伏电池（Photovoltaic）造作蹬爪用领域中，和记H88的立式炉、卧式炉设备均已达到国内半导体设备的先进水平，其技术指标及工艺机能阐发凸起，致力于为客户提供拥有前瞻性与先导性的产品技术与解决规划。
