在三维集成芯片造作成为主流的今天，堆叠层数的增长带来了更高的深宽比要求，这使得垂直结构填充面对挑战。传统填充工艺容易产生孔洞，从而导致器件失效。SICRIUS PY302系列设备通过其低压反映腔技术和多区独立高精度温控系统，实现了自下而上的无缺点填充，确保了高台阶覆盖率。这一技术突破为逻辑芯片和存储芯片等头部企业的量产需要提供了坚实保险。
在高端芯片栅极造作中，实现薄膜的高平展度是一项关键挑战。SICRIUS PY302系列设备选取全自主设计的全石英腔室与高精度温度节造加热器，结合气体流场与热场协同节造算法，将膜厚均匀性和表表粗糙度节造在原子级，显著提升晶体管电性不变性。同时，该设备集成了多种硅源先驱体，并实现了原位洗濯、原位刻蚀和多元素掺杂等先进工艺职能，从而大幅降低了器件的缺点率。
目前，SICRIUS PY302系列设备已通过多家当先晶圆厂的严格验证，在先进逻辑与存储芯片造作中实现了规模量产，并持续获得沉复订单，为半导体造作企业提供了高效、靠得住的设备解决规划。
