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NVT-HG2200-V1
单晶炉
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公司名称:
NVT-HG2200-V1 单晶炉
NVT-HG2200-V1 Single Crystal Growing Furnace
NVT-HG2200-V1重要利用于光伏产业8-12英寸单晶硅造备工艺,该机台拥有大投料量,高拉速,低能耗,自动化、智能化的利益。系统重要由籽晶起落/旋转系统、坩埚起落/旋转系统、热屏起落系统及电控系统组成。
设备特点
用于8-12英寸太阳能级单晶硅棒的成长
多维度安全设计,设备持久运行越发安全不变靠得住
全自动节造系统,单晶造备自动化、智能化
高拉速、低能耗、低成本
技术指标
晶体直径
φ6"-φ12"
主室尺寸
φ1100×1400mm,φ1200×1500mm,φ1400×1650mm,φ1600×1900mm,φ1700×2100mm
副室尺寸
φ350×3800mm,φ350×4000mm,φ350×5000mm,φ400×5500mm,φ450×7300mm
热场尺寸
26",28",30",32",36",40",42"
加热功率
165KW+65KW,165KW+90KW,150+110KW
籽晶拉速
>1.6mm/min
坩埚升速
0.02-1mm/min
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