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NVT-HG2200-V1

单晶炉

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NVT-HG2200-V1 单晶炉

NVT-HG2200-V1 Single Crystal Growing Furnace

NVT-HG2200-V1重要利用于光伏产业8-12英寸单晶硅造备工艺，该机台拥有大投料量，高拉速，低能耗，自动化、智能化的利益。系统重要由籽晶起落/旋转系统、坩埚起落/旋转系统、热屏起落系统及电控系统组成。

设备特点

技术指标

晶体直径
φ6"-φ12"
主室尺寸
φ1100×1400mm,φ1200×1500mm,φ1400×1650mm,φ1600×1900mm,φ1700×2100mm
副室尺寸
φ350×3800mm,φ350×4000mm，φ350×5000mm,φ400×5500mm,φ450×7300mm
热场尺寸
26"，28"，30"，32"，36"，40"，42"
加热功率
165KW+65KW,165KW+90KW,150+110KW
籽晶拉速
＞1.6mm/min
坩埚升速
0.02-1mm/min

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