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半导体设备 Semiconductor
MARS iCE115
碳化硅表延系统
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公司名称：
业务联系人：胡伟杰
MARS iCE115 碳化硅表延系统
MARS iCE115 SiC Epitaxy System
MARS iCE115 重要用于4/6英寸SiC表延工艺。选取水平热壁式技术路线，利用先进的控温、控压算法，独创的进气、混流结构，使得整个表延工艺过程中热场和气流场均匀不变。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺点密度等均达到了行业先进水平。
设备特点
薄膜和厚膜表延兼容，工艺不变性高
具备多层表延能力
怪异的气流场和加热场设计，工艺机能优异
靠得住的压力节造系统，成膜质量均一性好
产品利用
晶圆尺寸
4、6英寸
合用资料
碳化硅
合用工艺
N&P 碳化硅表延
合用领域
化合物半导体、科研
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