MARS iCE120S 8英寸单片碳化硅表延系统
MARS iCE120S 8 Inch Single Wafer SiC Epitaxy System
MARS iCE120S 重要用于6/8英寸SiC表延工艺，具备C2C传片职能。选取水平热壁式技术路线，利用先进的控温、控压算法，独创的进气、混流结构，使得整个表延工艺过程中热场和气流场均匀不变。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺点密度等均达到了行业先进水平。
- 设备特点
-
- 产品利用
-
- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用工艺
- 合用领域
