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业务联系人：陈国动
NMC 612E 12英寸ICP刻蚀机
NMC 612E 12 Inch ICP Etcher
NMC612E 是用于12英寸硅片的等离子体干法刻蚀设备，合用于关键技术节点的逻辑芯片硅刻蚀工艺， 关键技术节点的3D-NAND硅刻蚀和台阶刻蚀工艺，以及关键技术节点 DRAM造程中的导体和金属掩膜刻蚀工艺
设备特点
更幼尺寸&更深邃宽比刻蚀描摹节造能力
矫捷的区域级调节线宽关键尺寸均匀性节造能力
先进的气体急剧切换类原子层刻蚀工艺
凸起的幼尺寸颗＝谠炷芰，更长的MTBC
可配置大产能高效传输平台
产品利用
晶圆尺寸
12英寸
合用资料
硅、金属掩膜 、钨、高K介质
合用工艺
浅槽隔离刻蚀、栅刻蚀、侧墙刻蚀、自对准多沉图形化曝光、钨刻蚀、金属掩膜刻蚀、高K值介质刻蚀
合用领域
集成电路
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